講演情報
[17a-K310-4]Si20Ge80単結晶のヤング率
〇荒井 康智1、内田 茂樹2、草間 正寛2、神田 剛2、椿 浩二2、片野 佳文2、片岡 正巳3、佐々木 新悟3、佐藤 靖則3、松村 億久3、小八重 竹夫3、川崎 拓也3 (1.宇宙機構、2.トプコン、3.ディーディーワイ)
キーワード：
SiGe、単結晶、弾性定数
単結晶Si20Ge80を利用した音速測定から弾性定数を計算し、ヤング率の方位依存性を導出した。方位依存性はSi、Geと同等であるが、ヤング率値はVegard則より、Bowing則に従うことが判った。本報告では、2次元、3次元の体積弾性率計算、せん断弾性率、ポアソン比についても議論を行う。