講演情報
[17a-K501-5]透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2単結晶メンブレンの作製
〇内田 悠月1、Huang Jiyang1、根岸 真通1、Hong Seung Sae2、福村 知昭1,3,4 (1.東北大理、2.カリフォルニア大デービス校、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大CSIS・CSRN)
キーワード：
Nbドープ酸化チタン、透明導電性酸化物、犠牲層
近年、犠牲層を用いた酸化物単結晶メンブレンの作製がさかんであるが、透明導電性酸化物の単結晶メンブレンが実現すれば、フレキシブルデバイスなどへの応用が可能である。本研究では、酸溶解性のLa0.7Sr0.3MnO3を犠牲層とすることでひび割れを軽減し、電気伝導性の高いNbドープTiO2単結晶メンブレンを作製したので報告する。