[17a-K501-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[17a-K501-6] SrTiO₃ 自立膜の作製と特性評価

〇(M1)田中 嵩祐^1,2、井上 悠²、田村 雅史¹、井上 公^1,2 (1.東理大創域理工、2.産総研)

キーワード：

自立膜、パルスレーザー堆積法、複合酸化物

複合酸化物と半導体デバイスを融合した次世代エレクトロニクス技術が注目されている。しかし、複合酸化物のエピタキシャル成長には高温条件が必要であり、半導体基板上への直接成膜は困難である。近年、複合酸化物を水溶性犠牲層上にエピタキシャル成長させることで、自立膜をSi基板上へ転写できることが報告された。本講演では、複合酸化物の一つであるSrTiO₃の自立膜を作製し、転写プロセスが物性に与える影響について報告する。