[17a-Y1311-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[17a-Y1311-5] ミストCVDにおけるBi添加によるルチル構造GeO₂の成長安定化

Fernandez-Saiz Carolina¹、島添 和樹²、清家 一朗²、加納 大成²、〇西中 浩之² (1.バレンシア大学、2.京工繊大)

キーワード：

GeO2、ミストCVD