2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-Y1311-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年3月17日(月) 9:00 〜 11:45
Y1311 (13号館)
9:00 〜 9:15英語発表

[17a-Y1311-1][The 46th Young Scientist Award Speech] Anisotropic NiOx/β-Ga2O3 p-n heterojunctions on (-201), (001), and (010) β-Ga2O3 substrates

〇Dinusha Herath Mudiyanselage1, Ramandeep Mandia2, Dawei Wang1, Jayashree Adivarahan1, Ziyi He1, Kai Fu3, Yuji Zhao4, Martha R. McCartney5, David J. Smith5, Houqiang Fu1 (1.School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, 2.School of Engineering for Matter, Transport and Energy, Arizona State University, 3.Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Utah, 4.Department of Electrical and Computer Engineering, Rice University, 5.Department of Physics, Arizona State University)
9:15 〜 9:30

[17a-Y1311-2]JTE構造をもつNiO/Ga2O3 pnヘテロ接合ダイオードの試作

〇中込 真二1、海野 凌平2、矢野 浩司2 (1.石巻専修大理工、2.山梨大工)
9:30 〜 9:45

[17a-Y1311-3]β-Ga2O3基板上に形成したNiO層のクラックと歪

〇中込 真二1 (1.石巻専修大理工)
9:45 〜 10:00

[17a-Y1311-4]スパッタリング法を用いたルチル型GeO2薄膜のエピタキシャル成長

大竹 悠太1、長島 陽2、大澤 翔平1、岡 大地1、〇廣瀬 靖1 (1.東京都立大学、2.東京大学)
10:00 〜 10:15

[17a-Y1311-5]ミストCVDにおけるBi添加によるルチル構造GeO2の成長安定化

Fernandez-Saiz Carolina1、島添 和樹2、清家 一朗2、加納 大成2、〇西中 浩之2 (1.バレンシア大学、2.京工繊大)
10:30 〜 10:45

[17a-Y1311-6]半導体/水溶液界面のキャリア輸送過程推定に向けた電圧印加時間分解フォトルミネッセンス法の提案

〇植田 かな1、大久保 慶人1、杉山 睦1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)
10:45 〜 11:00

[17a-Y1311-7]ミストCVD成長したsapphire基板上α-Ga2O3薄膜の発光特性の面方位依存性

〇神野 莉衣奈1、Pholsen Natthajuks1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
11:00 〜 11:15

[17a-Y1311-8]α-Ga2O3フォトニック結晶へのSnドープ効果

〇藤田 健斗1、大塚 知紀1、松田 竜一2、渡辺 俊哉2、太田 早紀2、金子 健太郎3 (1.立命館大理工、2.三菱重工業（株）、3.立命館大半導体応用研究センター)
11:15 〜 11:30

[17a-Y1311-9]ScAlMgO4基板上β-Ga2O3成長のオフ角依存性

〇加藤 颯真1、城川 潤二郎1、松倉 誠3、小島 孝広3、金子 健太郎2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.(株)オキサイド)
11:30 〜 11:45

[17a-Y1311-10]不純物添加Ga2O3の電子構造解析

〇河村 貴宏1、西村 健志1、山下 拓真1、秋山 亨1、寒川 義裕2 (1.三重大院工、2.九大応力研)
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