講演情報
[17a-Y1311-7]ミストCVD成長したsapphire基板上α-Ga2O3薄膜の発光特性の面方位依存性
〇神野 莉衣奈1、Pholsen Natthajuks1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
キーワード：
超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、光学特性
コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3) は5.4 eVのバンドギャップエネルギーを持つ超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つであり、高耐圧パワーデバイスの材料として近年注目されている また、Ga2O3の大きなバンドギャップ中の色中心による量子フォトニクス応用も今後期待できる。発光特性は欠陥に関する情報が得られるため電気・光学デバイス応用において重要であり、α-Ga2O3では自己束縛正孔やH由来の紫外線発光帯、DAP発光由来の青色発光帯、緑色発光帯などが報告されている。本研究では、ミストCVD法を用いて成長したα-Ga2O3薄膜の発光特性の成長面方位依存性について報告する。