講演情報
[17p-K202-1]HKMGスタック作製工程におけるSiO2/Si界面欠陥の発生と修復
〇布村 正太1、森田 行則1 (1.産総研)
キーワード：
HKMG、界面欠陥、キャリア寿命
先端半導体デバイスにおいて、シリコン酸化膜/シリコン（SiO2/Si）界面の欠陥は、デバイス性能や信頼性の低下を招く。そのため、デバイス作製工程おいて、界面欠陥（例えば、ダングリングボンドや不純物等）の発生と修復を理解し、これらの欠陥を低減するプロセス開発を進めることが求められている。通常、欠陥は、デバイス作製後に、C-V法やチャージポンピング法を用いて評価されるが、評価がデバイス作製後に限定されるため、各工程における欠陥の発生と修復の詳細は理解されていない。そこで、今回、HKMG（high-k metal-gate）スタックの各作製工程におけるSiO2/Si界面の欠陥を、下地Siのキャリアライフタイム測定を通して簡便に評価したので報告する。