セッション詳細

[17p-K202-1~7]13.3 絶縁膜技術

2025年3月17日(月) 13:00 〜 14:45
K202 (講義棟)

[17p-K202-1]HKMGスタック作製工程におけるSiO2/Si界面欠陥の発生と修復

〇布村 正太1、森田 行則1 (1.産総研)

[17p-K202-2]高誘電率材料TiO2を用いたMOS構造に関する研究

〇内田 遥太1、鬼塚 翔平1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

[17p-K202-3]Ge MOS界面の前酸化と後アニール条件最適化による遅い準位の除去

〇(B)高木 駿翼1、葉 文昌1 (1.島根大総合理工)

[17p-K202-4]Ge上ゲートスタックの低温熱処理効果

〇鍬釣 一1、麻生 大聖1、王 冬2、山本 圭介2,3 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院、3.熊大大学)

[17p-K202-5]硝酸によるゲルマニウム化学酸化膜の低温形成

原田 京朝1、〇金島 岳1 (1.近大産業理工)

[17p-K202-6]硫酸加水を用いたGe基板の低温酸化の検討

〇原田 星輝1、清水 玄1、橋本 優1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

[17p-K202-7]CVD法を用いたGeO2/Ge構造の作製及び評価

〇鈴木 拓光1、井上 拓紀1、石塚 啓太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)