講演情報
[17p-K305-1][第57回講演奨励賞受賞記念講演] InGaAs/Siハイブリッドフォトトランジスタと オンチップSi抵抗を用いた電圧出力型光パワーモニタ
〇赤澤 智熙1、李 強2、Guo-Qiang Lo2、トープラサートポン カシディット1、高木 信一1、竹中 充1 (1.東大院工、2.Advanced Micro Foundry)
キーワード：
光デバイス、受光器、光集積回路
コンピューティング応用などへ向けて，Siプログラマブル光回路（PIC）が注目を集めているが，PICの正確なプログラミングには，多数集積された光位相シフタの位相誤差の校正が必要と なる。このためには，回路中の各光スイッチにおいて，光強度を直接モニタすることが有効である。 一般的な受光システムでは，光電流をトランスインピーダンス増幅器（TIA）によって電気増幅し，電圧に変換するが，より簡便な方式として，光電流を高抵抗負荷によって，直接電圧へと変換する方式が 提案されている。本研究では，高受光感度が達成可能なInGaAs/Siハイブリッドフォトトランジスタを，CMOSプロセスで作製可能なオンチップSi抵抗と一体集積することで，TIAを用いずに，簡便な方式で微弱な光信号を電圧信号としてモニタすることに成功したので報告する。