[17p-K307-1~15] 9.5 新機能材料・新物性

16:00 〜 16:15

[17p-K307-12] 軟X線磁気円二色性によるCo添加In₂O₃多結晶の電子構造解析

〇片岡 隆史¹、萩谷 明日菜¹、朝倉 友彩¹、佐藤 桂輔¹、雨宮 健太² (1.茨城高専、2.KEK物構研)

キーワード：

希薄磁性半導体、X線吸収分光、X線磁気円二色性

希薄磁性半導体（DMS）は次世代の新奇磁性材料だが、磁性に関する電子論的な理解が不十分である。本研究では、DMSの強磁性発現機構を解明するため、真空焼鈍前後のIn_1.9Co_0.1O₃の電子状態を高エネルギー加速器研究機構のPF-BL16Aにおいて調査した。調査方法は、軟X線吸収分光（XAS）と軟X線磁気円二色性（XMCD）である。評価結果として、In_1.9Co_0.1O₃のCo 2p-3d 吸収端において明瞭なXMCD信号が観測され、磁性が希薄添加Coに由来することが示された。当日は、XASスペクトルの変化から酸素欠陥と強磁性発現の関連を議論する。