講演情報
[17p-K405-3]スズ系ペロブスカイト太陽電池の界面における電荷再結合と格子歪みに関する研究
〇劉 東1、李 玉勝1、王 亮1、王 丹丹1、劉 嘉琪1、早瀬 修二1、沈 青1 (1.電通大)
キーワード:
スズ系ペロブスカイト、キャリアダイナミック、ひずみ
スズ系ペロブスカイト (Sn-PVK) 材料は、その優れた光電特性と無毒性により、太陽電池の分野で多くの注目を集めている。本研究では、時間分解蛍光応答 (TRPL) および TPV 技術を用いて、界面における電荷キャリアダイナミクスを解析した。その結果、Sn-PVK/ETL 界面での欠陥が HTL/Sn-PVK 界面での欠陥よりも顕著であることがわかった。さらに、GI-XRDとCapacitance-Voltage測定などの技術を用いて、界面での格子歪みと深さ依存の欠陥濃度を評価した。その結果、ETL/Sn-PVK 界面での欠陥濃度は、バルク内部よりも明らかに高いことが確認された。