セッション詳細
[14p-P04-1~2]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2025年3月14日(金) 13:30 〜 15:30
P04 (森戸記念体育館)
[14p-P04-1]ダブルドープInSb/InGaSb複合チャネルHEMT構造の電気的特性の向上
―傾斜バッファ層の組成比制御による貫通転位密度の低減―
〇小山 歩夢1、神内 智揮1、大場 達久1、中島 渉1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
[14p-P04-2]フレキシブルな量子ドット発光薄膜の作製および光学特性評価
〇大塚 憲吾1、横田 起季1、ハドソン 勇気 カール1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)