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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" : 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-W9_324-1~14]21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 15, 2026 1:30 PM - 5:15 PM JST
Sun. Mar 15, 2026 4:30 AM - 8:15 AM UTC
W9_324 (West Bldg. 9)
Chair : Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Yuichi Ota(富山県立大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。

[16a-W9_324-1~12]21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 16, 2026 9:00 AM - 12:15 PM JST
Mon. Mar 16, 2026 12:00 AM - 3:15 AM UTC
W9_324 (West Bldg. 9)
Chair : Masayuki Imanishi(Osaka Univ.), Junya Yoshinaga(TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。

[16p-W9_324-1~17]21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 16, 2026 1:30 PM - 6:30 PM JST
Mon. Mar 16, 2026 4:30 AM - 9:30 AM UTC
W9_324 (West Bldg. 9)
Chair : Takayoshi Oshima(NIMS), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。

[17a-W9_324-1~10]21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 17, 2026 9:15 AM - 12:00 PM JST
Tue. Mar 17, 2026 12:15 AM - 3:00 AM UTC
W9_324 (West Bldg. 9)
Chair : Kosaku Shimizu(Nihon Univ.)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。

[17p-W9_324-1~16]21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 17, 2026 1:30 PM - 5:45 PM JST
Tue. Mar 17, 2026 4:30 AM - 8:45 AM UTC
W9_324 (West Bldg. 9)
Chair : Takahiro Kawamura(Mie Univ.), Abe Takami(Iwate Univ.)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
6 results ( 1 - 6 )
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