21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)
2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:15
W9_324 (西9号館)
座長：西中 浩之(京都工繊大)、 太田 優一(富山県立大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
一般セッション(口頭講演)
2026年3月16日(月) 9:00 〜 12:15
W9_324 (西9号館)
座長：今西 正幸(阪大)、 吉永 純也(大陽日酸株式会社)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
一般セッション(口頭講演)
2026年3月16日(月) 13:30 〜 18:30
W9_324 (西9号館)
座長：大島 孝仁(物材機構)、 宇野 和行(和歌山大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
一般セッション(口頭講演)
2026年3月17日(火) 9:15 〜 12:00
W9_324 (西9号館)
座長：清水 耕作(日大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
一般セッション(口頭講演)
2026年3月17日(火) 13:30 〜 17:45
W9_324 (西9号館)
座長：河村 貴宏(三重大)、 阿部 貴美(岩手大)
このセッションでは、Ga2O3を中心に、MOCVD、MBE、HVPE、ミストCVDなど多様な成膜技術による結晶成長、結晶構造・欠陥の評価と制御、SBDなどのデバイス応用に関する研究が報告されます。また、In-Ga-Zn系酸化物を用いたTFTの電気特性評価やプロセス最適化、GeO2、MgZnO、NiOなど新規酸化物材料の成膜技術と物性評価、デバイス展開についても議論されます。
一般セッション(ポスター講演)
2026年3月18日(水) 11:30 〜 13:00
PA3 (アリーナ (1F))
