講演情報
[F1233-1vn-03]ジスプロシウム(III)メタロセン錯体において置換基効果が磁気緩和障壁に与える影響に関する理論研究
○益田 晃希1、井上 廉2、高 海斗2、岸 亮平1,3,4,5、北河 康隆1,3,4,5,6 (1. 阪大院基礎工、2. 阪大基礎工、3. 阪大QIQB、4. 阪大RCSEC、5. 阪大ICS、6. 阪大SRN)
キーワード:
単分子磁石,ジスプロシウムメタロセン錯体,磁気緩和障壁,スピントロニクス,量子化学計算
単分子磁石,ジスプロシウムメタロセン錯体,磁気緩和障壁,スピントロニクス,量子化学計算