セッション詳細
[S4]S4.界面ナノ構造と機能の材料科学(1)
2025年9月17日(水) 13:00 〜 17:00
N会場(工学部C棟3階C310)
座長:中村 篤智(大阪大学)、平山 雅章(東京科学大学)、吉田 英弘(東京大学)
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
(質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5~10分)
(質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5~10分)
[S4.2]放射光X線回折を用いた硫化物全固体電池の高電位劣化機構解析
*李 炎釗1、山中 一輝1、渡邊 健太1、清水 啓祐2、田村 和久3、鈴木 耕太2、菅野 了次2、平山 雅章1,2 (1. 東京科学大物質理工、2. 東京科学大総合研究院、3. 原子力機構)
[S4.3]4H-SiCにおける{1-102}積層欠陥の原子・電子構造解析
*栃木 栄太1、松畑 洋文2、幾原 雄一3,4,5 (1. 東大生研、2. アイシーソルーションズ、3. 東大総合、4. 東北大AIMR、5. ファインセラミックスセンター)
休憩
[S4.4][基調講演] 強電場/電流効果を利用したセラミックスの高速・低温プロセッシングに向けて
*吉田 英弘1、増田 紘士1、森田 孝治2、山本 剛久3 (1. 東大工、2. NIMS、3. 名大)
休憩
[S4.9]Zintl化合物における内在的界面:非整合性による輸送特性の制御
*Tran Cong Thang1、関本 渉1、藤井 進2,3、吉矢 真人1,3 (1. 大阪大学大学院工学研究科、2. ファインセラミックスセンター、3. 九州大学大学院工学研究科)