日本金属学会2025年秋期(第177回)講演大会
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セッション詳細

公募シンポジウム講演

[S4]S4.界面ナノ構造と機能の材料科学(2)

2025年9月18日(木) 9:15 〜 12:05
N会場(工学部C棟3階C310)
座長:FENG Bin(東京大学)、丹羽 健(名古屋大学)
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5～10分）
9:15 〜 9:55基調講演

[S4.11][基調講演] 全固体電気化学熱スイッチ

*太田 裕道1 (1. 北大電子研)
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9:55 〜 10:15

[S4.12]化合物半導体中の点欠陥による格子熱伝導の低下機構の原子レベル解析

*横井 達矢1、藤井 進2、小椋 優1、松永 克志1,3 (1. 名古屋大工、2. 九州大工、3. ファインセラミックスセンター)
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10:15 〜 10:30

[S4.13]GaN中らせん転位周囲の結合環境がフォノン熱伝導に与える影響

*井上 翔大1、関本 渉1、吉矢 真人1,2 (1. 大阪大学大学院工学研究科、2. ファインセラミックスセンター)
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10:30 〜 10:45

休憩

10:45 〜 11:05

[S4.14]メモリスタ機能を持つダイヤモンド/グラフェンヘテロ接合界面のSTEM分析

*武藤 俊介1、斎藤 元貴2、植田 研二3 (1. 名大未来研、2. 名大工、3. 早稲田大)
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11:05 〜 11:20

[S4.15]異常電気塑性現象の原子・電子論的解明：ZnS中の転位の第一原理有限電場解析

*嶋田 隆広1、池田 善孝1、見波 将1、Zou Yu2 (1. 京都工、2. トロント大学)
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11:20 〜 11:35

[S4.16]TiO2における刃状転位が光電特性に与える影響

*磯村 駿太郎1、関本 渉1、吉矢 真人1,2 (1. 大阪大学大学院工学研究科、2. ファインセラミックスセンター)
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11:35 〜 11:50

[S4.17]GaN系半導体中の転位電荷観察手法の開発

*小柳津 歩夢1、遠山 慧子1、関 岳人1,2、蟹谷 裕也3、柴田 直哉1,4 (1. 東大工、2. JSTさきがけ、3. ソニーセミコンダクタソリューションズ、4. JFCC)
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11:50 〜 12:05

[S4.18]DPC STEMによるナノ結晶軟磁性材料の磁壁構造と局所磁気定数の定量解析

*許 マイケル1、関 岳人1,2、太田 元基3、河野 祐二4、柴田 直哉1,5 (1. 東大工、2. JSTさきがけ、3. 島根大総合理工、4. 日本電子、5. JFCC)
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