講演情報
[315]半導体パッケージ構造試験片を用いたSiダイ / アンダーフィル界面の破壊力学的疲労き裂進展速度評価
*相澤 爽斗1、苅谷 義治2、谷中 勇一3、中田 充紀3 (1. 芝浦工大（院生）、2. 芝浦工大、3. 株式会社レゾナック)
キーワード：
the Interface Si Die and Underfill、Fatigue Crack Propagation Rate、Real Semiconductor Package Structures、response surface analysis、Box-Behnken Project
半導体パッケージのSiダイ / UF界面の疲労き裂進展速度を計測するため，統計的手法を用いて実験を容易にする最適形状を決定した結果，従来試験片に比べ，確実にき裂の発生・進展が可能であることが確認された．
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