講演情報
[14a-K101-2][第16回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 4 nmの薄膜Hf0.5Zr0.5O2強誘電体キャパシタにおける低動作電圧と高書換耐性の実証およびプロセス温度とウェークアップの課題
〇トープラサートポン カシディット1、田原 建人1、彦坂 幸信2、中村 亘2、齋藤 仁2、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工、2.RAMXEED)
キーワード：
強誘電体、HZO、薄膜化
Hf0.5Zr0.5O2（HZO）強誘電体は、PZTやBTOといった従来の強誘電体と比較してCMOSプロセスとの親和性が優れており、100 nm以下の技術ノードで量産化できる大容量の強誘電体メモリとして注目を集めている。HZO強誘電体メモリを実用化するためには、高い動作電圧と低い書換耐性が大きな課題であった。本発表ではHZOの薄膜化技術が両方の課題への克服の鍵となる技術できることを実証した研究成果を紹介する