セッション詳細

[14a-K101-1~10]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2025年3月14日(金) 9:00 〜 12:15
K101 (講義棟)

[14a-K101-1]第16回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞授賞式

〇井田 次郎1,2 (1.シリコンテクノロジー分科会幹事長、2.金沢工大)

[14a-K101-2][第16回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 4 nmの薄膜Hf0.5Zr0.5O2強誘電体キャパシタにおける低動作電圧と高書換耐性の実証およびプロセス温度とウェークアップの課題

〇トープラサートポン カシディット1、田原 建人1、彦坂 幸信2、中村 亘2、齋藤 仁2、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工、2.RAMXEED)

[14a-K101-3][第16回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 極低温動作Si n-MOSFETにおける低周波ノイズの起源:絶縁膜界面の影響

〇岡 博史1、稲葉 工1、下方 駿佑1,2、加藤 公彦1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、更田 裕司1、森 貴洋1 (1.産総研、2.慶応大理工)

[14a-K101-5]超伝導量子ビット制御用クライオCMOSにおける高電圧nMOSFETの低温特性

〇(B)押尾 世文1、小林 瑞月1、安達 和喜1、林 凌佑1、吉永 啓人2、内田 建2、多田 宗弘1 (1.慶大理工、2.東大)

[14a-K101-6]極低温における200 nm SOI-FETの自己発熱と隣接デバイスへの熱伝導

〇八田 浩輔1、森 貴之1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.産総研)

[14a-K101-7]Comparative Analysis of Threshold Voltage and On-current Variability in 65nm Bulk and FDSOI MOSFETs at Cryogenic Temperature

〇(DC)Zihao Liu1, Tomoko Mizutani1, Kiyoshi Takeuchi1, Takuya Saraya1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Masaharu Kobayashi1, Toshiro Hiramoto1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST)

[14a-K101-8]On-Current Variability Components in 65nm Bulk and FDSOI MOSFETs at Cryogenic Temperature

〇(DC)Zihao Liu1, Tomoko Mizutani1, Kiyoshi Takeuchi1, Takuya Saraya1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Masaharu Kobayashi1, Toshiro Hiramoto1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST)

[14a-K101-9]Coulomb-scattering-limited mobility at cryogenic temperatures due to interface charges induced by Fowler-Nordheim injection in Si n-MOSFETs

〇(M2)Zhao Jin1, Yutong Chen1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Mitsuru Takenaka1, Kasidit Toprasertpong1, Shinichi Takagi1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST)

[14a-K101-10]生成 AI を活用したクライオ CMOS 用 モデルパラメータ抽出省力化の可能性検討

〇稲葉 工1、千足 勇介1、岡 博史1、小倉 実1、浅井 栄大1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、森 貴洋1 (1.産総研)