講演情報
[14a-K101-5]超伝導量子ビット制御用クライオCMOSにおける高電圧nMOSFETの低温特性
〇(B)押尾 世文1、小林 瑞月1、安達 和喜1、林 凌佑1、吉永 啓人2、内田 建2、多田 宗弘1 (1.慶大理工、2.東大)
キーワード：
半導体、クライオCMOS
本研究では、65nm CMOSのHV-nMOSFET（定格2.5V）の極低温特性を評価し、オーバードライブ条件も測定した。4KではIdが増加し、閾値電圧付近で飽和電流が異常増加。この現象はインパクトイオン化と基板のフリーズアウトによる高抵抗化、および正孔のトラップが正のボディバイアス効果を引き起こしたためと考えられる。オーバードライブでは高電界効果が顕著化。また、Id-Vg特性で低温特有の低リークや高Vthを確認したが、高電圧時にJoule heatingによる基板トラップ抑制が原因とされるヒステリシスを観測した。