講演情報
[14a-K101-6]極低温における200 nm SOI-FETの自己発熱と隣接デバイスへの熱伝導
〇八田 浩輔1、森 貴之1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.産総研)
キーワード：
極低温、セルフヒーティング、熱伝導
本研究では, 極低温における200 nm SOI-FETのself-heatingおよび隣接デバイスへの熱伝導の検討を4端子ゲート抵抗法を用いて行った. 極低温では室温よりもself-Heatingと呼ばれるデバイス発熱現象が顕著に現れることを確認した。また、この発熱は4ゲートピッチ離れた隣接デバイスには伝導しないことが分かった。