[14a-K306-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

9:15 〜 9:30

[14a-K306-2] フッ素系多元素・分子イオン注入シリコンエピタキシャルウェーハの開発

〇廣瀬 諒¹、門野 武¹、小林 弘治¹、永友 翔¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：

イオン注入、シリコンウェーハ