[14a-K306-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 | 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14a-K306-1~10]15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2025年3月14日(金) 9:00 〜 11:45

K306 (講義棟)

9:00 〜 9:15

[14a-K306-1]炭化水素分子イオン注入エピタキシャルSiウェーハのpn接合ダイオード作製工程間の重金属ゲッタリング挙動

〇永友翔¹、門野武¹、廣瀬諒¹、小林弘治¹、佐々木駿¹、栗田一成¹ (1.株式会社　SUMCO)

9:15 〜 9:30

[14a-K306-2]フッ素系多元素・分子イオン注入シリコンエピタキシャルウェーハの開発

〇廣瀬諒¹、門野武¹、小林弘治¹、永友翔¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[14a-K306-3]IGBT高熱負荷工程における300mmSiウェハ内転位挙動に関する研究

〇(D)袁九洋¹、蔡博舟¹、宮村佳児²、齋藤渉²、西澤伸一² (1.九大総理工、2.九大応力研)

9:45 〜 10:00

[14a-K306-4]IGBT用Siウエハの少数キャリアライフタイムの評価および動作温度の相関性分析

〇(M2)曹瑞軒¹、袁九洋¹、蔡博舟¹、宮村佳児²、齋藤渉²、西澤伸一² (1.九大総理工、2.九大応力研)

10:00 〜 10:15

[14a-K306-5]リチウムに関連した点欠陥を用いたシリコン中のp層の形成

〇清井明¹、川畑直之¹ (1.三菱電機先端総研)

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[14a-K306-6]機械学習ポテンシャルを用いたSiGeの分子動力学シミュレーション

〇池田京¹ (1.三菱ケミカル株式会社)

10:45 〜 11:00

[14a-K306-7]VB法Ga₂O₃単結晶成長時の炉内温度における不純物偏析係数の影響

〇柿本浩一¹、富田健稔²、Vladimir Kochurikhin²、北原正則²、鎌田圭^1,2、中野智³、吉川彰^1,2,4 (1.東北大　NICHe、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.東北大　金研)

11:00 〜 11:15

[14a-K306-8]2次元核生成に基づいた溶液成長法によるSiC結晶多形の
不純物濃度依存性

〇柿本浩一¹、中野智² (1.東北大　NICHe、2.九大　応力研)

11:15 〜 11:30

[14a-K306-9]4H-SiCにおける単一ショックレー型積層欠陥の拡張形状に与える基底面転位構造の分類再検討

〇西尾譲司¹、太田千春¹ (1.東芝研開センター)

11:30 〜 11:45

[14a-K306-10]商用オフ角付きSiC基板の残留歪み定量イメージング

〇木村優太¹、荒井菜緒¹、辻直人¹、渡邉凌矢¹、福澤理行¹ (1.京都工芸繊維大)

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