2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14a-K306-1~10]15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2025年3月14日(金) 9:00 〜 11:45
K306 (講義棟)
鈴木 秀俊(宮崎大)、 鳥越 和尚(SUMCO)、 神山 栄治(GWJ)
9:00 〜 9:15

[14a-K306-1]炭化水素分子イオン注入エピタキシャルSiウェーハのpn接合ダイオード作製工程間の重金属ゲッタリング挙動

〇永友 翔1、門野 武1、廣瀬 諒1、小林 弘治1、佐々木 駿1、栗田 一成1 (1.株式会社　SUMCO)
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9:15 〜 9:30

[14a-K306-2]フッ素系多元素・分子イオン注入シリコンエピタキシャルウェーハの開発

〇廣瀬 諒1、門野 武1、小林 弘治1、永友 翔1、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[14a-K306-3]IGBT高熱負荷工程における300mmSiウェハ内転位挙動に関する研究

〇(D)袁 九洋1、蔡 博舟1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
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9:45 〜 10:00

[14a-K306-4]IGBT用Siウエハの少数キャリアライフタイムの評価および動作温度の相関性分析

〇(M2)曹 瑞軒1、袁 九洋1、蔡 博舟1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
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10:00 〜 10:15

[14a-K306-5]リチウムに関連した点欠陥を用いたシリコン中のp層の形成

〇清井 明1、川畑 直之1 (1.三菱電機先端総研)
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10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[14a-K306-6]機械学習ポテンシャルを用いたSiGeの分子動力学シミュレーション

〇池田 京1 (1.三菱ケミカル株式会社)
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10:45 〜 11:00

[14a-K306-7]VB法Ga2O3単結晶成長時の炉内温度における不純物偏析係数の影響

〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、北原 正則2、鎌田 圭1,2、中野 智3、吉川 彰1,2,4 (1.東北大　NICHe、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.東北大　金研)
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11:00 〜 11:15

[14a-K306-8]2次元核生成に基づいた溶液成長法によるSiC結晶多形の
不純物濃度依存性

〇柿本 浩一1、中野 智2 (1.東北大　NICHe、2.九大　応力研)
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11:15 〜 11:30

[14a-K306-9]4H-SiCにおける単一ショックレー型積層欠陥の拡張形状に与える基底面転位構造の分類再検討

〇西尾 譲司1、太田 千春1 (1.東芝研開センター)
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11:30 〜 11:45

[14a-K306-10]商用オフ角付きSiC基板の残留歪み定量イメージング

〇木村 優太1、荒井 菜緒1、辻 直人1、渡邉 凌矢1、福澤 理行1 (1.京都工芸繊維大)
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