講演情報
[14a-K306-3]IGBT高熱負荷工程における300mmSiウェハ内転位挙動に関する研究
〇(D)袁 九洋1、蔡 博舟1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
キーワード：
転位増殖、シリコンウェハ、高熱負荷工程
IGBT試作工程において、熱応力による転位が増殖し、デバイス性能に悪影響を及ぼす可能性がある。プロセス中における温度分布、応力および転位密度を測定することは困難であるため、転位が発生するタイミングや要因を特定することが求められている。本研究では、300mmSiウェハに温度不均一を発生させた場合の、温度分布、応力、及び転位密度を数値計算で求め、実炉を用いた検証を行ったことで、転位増殖のメカニズムを明らかにした。