講演情報
[14a-K306-4]IGBT用Siウエハの少数キャリアライフタイムの評価および動作温度の相関性分析
〇(M2)曹 瑞軒1、袁 九洋1、蔡 博舟1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
キーワード：
ライフタイム
近年、IGBTは電力制御分野で不可欠となり、高温環境での信頼性が重要視されている。温度変化がIGBTのライフタイムに与える影響を理解するため、本研究では、IGBT用Siウエハの少数キャリアライフタイムを測定する際に、実際のデバイス動作温度環境（室温から200℃まで）を模擬し、ライフタイムの変化とデバイス動作温度の相関性を明らかにした。