講演情報
[14a-K306-5]リチウムに関連した点欠陥を用いたシリコン中のp層の形成
〇清井 明1、川畑 直之1 (1.三菱電機先端総研)
キーワード：
半導体、点欠陥、ドーピング
本講演では、シリコンにリチウムイオン照射とアニールを行うことで、アクセプタとして機能する点欠陥が生じることを報告する。水素、ヘリウム、リチウムの比較により、リチウムに関連する複合欠陥、真性欠陥のどちらも寄与していることが分った。軽イオン照射を用いたドーピングは、比較的低温度で活性化できることや、イオン平均飛程を長くできる点でベーシックなドーピングよりもデバイス製造に有効な可能性があると考えている。