[14a-K306-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:45 〜 11:00

[14a-K306-7] VB法Ga₂O₃単結晶成長時の炉内温度における不純物偏析係数の影響

〇柿本 浩一¹、富田 健稔²、Vladimir Kochurikhin²、北原 正則²、鎌田 圭^1,2、中野 智³、吉川 彰^1,2,4 (1.東北大　NICHe、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.東北大　金研)

キーワード：

半導体、酸化物、シミュレーション

パワーデバイス用結晶の候補の一つとして注目を浴びているGa₂O₃酸化物単結晶は[1]、縦型と横型デバイスでは、それぞれ高い、または低い不純物濃度が要求される。Ga₂O₃単結晶は、不純物濃度の大小により結晶の透明度が変化し、さらに結晶成長が進行するにしたがって不純物偏析により濃度が空間的に変化する。本報告では、垂直ブリッジマン法を用いたGa₂O₃単結晶成長中の結晶育成炉内の非定常2次元温度、流動解析を行った。