講演情報
[14a-K306-8]2次元核生成に基づいた溶液成長法によるSiC結晶多形の
不純物濃度依存性
〇柿本 浩一1、中野 智2 (1.東北大 NICHe、2.九大 応力研)
キーワード：
半導体、SiC、シミュレーション
次世代パワーデバイス用材料として注目されるSiCには多数の結晶多形が存在する．同一結晶中に複数の多形が混在することによる材料性能の劣化が問題視されており，所望の多形の分離成長技術が要求されている．本発表では過飽和度と表面エネルギーを考慮した2次元核形成理論を導入して，溶液成長法において優先的に発生する結晶多形及び，その成長条件依存性について検討した結果を報告する．