[14a-K306-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

11:15 〜 11:30

[14a-K306-9] 4H-SiCにおける単一ショックレー型積層欠陥の拡張形状に与える基底面転位構造の分類再検討

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：

炭化珪素、単一ショックレー型積層欠陥、部分転位