[14a-K401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[14a-K401-3] 有機金属気相エピタキシャル法を用いたAlGaN:Tb/GaNナノワイヤの成長と光学・構造評価

〇館林 潤^1,2、吉村 拓真¹、佐藤 和久³、市川 修平^1,3、藤原 康文^4,5 (1.阪大院工、2.QIQB、3.超高圧電顕センター、4.阪大産研、5.立命館大)

キーワード：

ナノワイヤ、AlGaN:Tb、RGB三原色

本講演では有機金属気相エピタキシャル成長法により作製されたAlGaN:Tb/GaNコアシェル型ナノワイヤの形成および光学・構造評価に関し報告を行う。AlGaN:Tb/GaNナノワイヤの成長技術を確立するとともにTEM-EDS分析によりAlGaN:Tb層がコアシェル状にGaNナノワイヤ上に形成されていることを見出した。室温フォトルミネッセンス測定によりAlGaN:Tb/GaNナノワイヤからTb³⁺イオンの⁵D₄-⁷F_J遷移(J= 3,4,5,6)に起因する複数の波長帯での発光を観測した。さらに、作製したナノワイヤの断面EDS組成マッピングによりAlGaN:Tb層中のAlNモル分率の同定を行った。