セッション詳細

[14a-K401-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年3月14日(金) 9:00 〜 11:30
K401 (講義棟)

[14a-K401-1]n+-GaNの電気化学エッチングによるエッチング形態変化の調査

〇横井 創吾1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、伊藤 瞭太3、秦 雅彦4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、丸山 美帆子1、吉村 政志6、森 勇介1 (1.阪大工,阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.住友化学(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.名大未来研、6.阪大レーザー研)

[14a-K401-2]水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaNストライプ構造の発光特性

〇片岡 生一1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大学半導体研究所)

[14a-K401-3]有機金属気相エピタキシャル法を用いたAlGaN:Tb/GaNナノワイヤの成長と光学・構造評価

〇館林 潤1,2、吉村 拓真1、佐藤 和久3、市川 修平1,3、藤原 康文4,5 (1.阪大院工、2.QIQB、3.超高圧電顕センター、4.阪大産研、5.立命館大)

[14a-K401-4]GaNナノワイヤ及びGaN系多重量子殻のX線ナノビーム回折におけるCrystal Truncation Rod散乱とこれを用いた構造解析

〇宮嶋 孝夫1、太田 翔也1、小林 稜汰1、近藤 剣1、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、安田 伸広2、中尾 知代3、荒井 重勇3、上山 智1、今井 大地1 (1.名城大理工、2.高輝度光科学研究センター、3.名大未来材料システム研)

[14a-K401-5]青色発光InGaN/GaNナノピラーの表面再結合とキャリアダイナミクス

小菅 駿也1、相川 健喜2、倉邉 海史2、菊池 昭彦2,3、〇大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大半導体研)

[14a-K401-6]静磁場によるAlNの励起子準位分裂の理論的検討

〇池島 拓海1、石井 良太1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大工)

[14a-K401-7]ステップおよびキンクを含むAlN(0001)表面での原子の吸着に関する理論解析

〇秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)

[14a-K401-8]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端と水素終端の電子状態の比較

〇(M1)藤代 裕貴1、屋山 巴1、長田 貴弘2、知京 豊裕2、赤城 文子1 (1.工学院大、2.NIMS)

[14a-K401-9]炭素置換によりホールドープしたGaNにおけるキャリアのアクセプタ準位への無輻射緩和過程

〇屋山 巴1、宮本 良之2 (1.工学院大、2.産総研)