講演情報
[14a-K401-4]GaNナノワイヤ及びGaN系多重量子殻のX線ナノビーム回折におけるCrystal Truncation Rod散乱とこれを用いた構造解析
〇宮嶋 孝夫1、太田 翔也1、小林 稜汰1、近藤 剣1、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、安田 伸広2、中尾 知代3、荒井 重勇3、上山 智1、今井 大地1 (1.名城大理工、2.高輝度光科学研究ｾﾝﾀｰ、3.名大未来材料ｼｽﾃﾑ研)
キーワード：
量子殻、X線ナノビーム、CTR散乱
我々は、GaN系高出力半導体レーザの活性層として期待されているGaN系多重量子殻の非破壊構造解析が、大型放射光施設SPring-8のX線ナノビーム回折により可能であることを報告してきた。その中で、GaN NWやGaN系MQSの側面にX線ナノビームを照射すると、その逆格子マップには、非常に明瞭なCrystal Truncation Rod (CTR) 散乱が観測されることが分かった。本講演では、ここで観察されるCTR散乱の特徴と、これを用いた構造解析を報告する。