[14a-K502-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[14a-K502-3] V₂O₃薄膜の固相合成と電子相転移挙動の観測

〇木下 裕貴¹、浅岡 峻哉¹、相馬 拓人¹、吉松 公平¹、大友 明¹ (1.科学大物質理工)

キーワード：

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、固相合成

バルク体のV₂O₃は金属絶縁体転移前後で10⁸倍と大きな抵抗率変化比を示すが，薄膜状にすると10³〜10⁴倍に低下することが知られており，デバイス応用上の問題となっている．我々は，この低下を薄膜/基板界面付近での圧縮応力の影響と考え，固相合成法を用いることにより1.7×10⁶倍の抵抗率変化比を示す薄膜の作製に成功した．また，X線回折測定から薄膜/基板界面付近の圧縮応力が低減したことを明らかにした．