講演情報
[14a-P01-30]ガンマ線源によるSi半導体検出器の作製
〇(B)小林 奈和1、斉藤 直輝2、井戸川 槙之介1 (1.釧路高専、2.北海道大学)
キーワード：
半導体検出器、教材開発、SOG法
半導体デバイスの耐放射線性について，教育現場への導入には安全性やコスト，評価環境の制約による課題が多い．本研究では，低コストかつ高い安全性を両立する半導体検出器を作製した．検出器の作製には，n型Si基板に Spin on glass 法を用いた不純物拡散を行い，放射線源は管理が容易なコバルト60とした．また，検出回路である電荷増幅器を作製し，オシロスコープで波形を観測した．実験結果から本手法により，教育現場における耐放射線性半導体デバイスの学習および評価への適用可能性が見込めた．