講演情報

[14a-P01-32]CdTeへのpn接合形成に向けた電子ビーム熱拡散ドーピング

〇新村 勇葵1、稲葉 影光2、西澤 潤一4、都木 克之3、加瀬 裕貴1,3、伊藤 哲2,3、青木 徹1,2,3,4 (1.静岡大情、2.静岡大院総合科学技術、3.静岡大電子研、4.静岡大院光医工)

キーワード:

CdTe

CdTeは放射線検出器として高感度や室温動作が可能だが、高電圧に伴うリーク電流抑制にはpn接合が必要である。従来のレーザードーピングは制御が難しく課題がある。本研究では、CdTe結晶の片面にIn、もう片面にAuを蒸着した構造で実験を行い、電子ビームを用いたドーピングによりpn接合を形成、ダイオード特性を確認。しかし、γスペクトルの分解能は低く、電界分布の不均一が要因と推測された。