[14p-K206-1~10] 高温超伝導体の新しい潮流 ~銅酸化物を超える材料は現れるのか？~

16:50 〜 17:05奨励賞エントリー

[14p-K206-8] PLD 法によるLa₃Ni₂O₇薄膜の作製とエピタキシャル歪み効果

〇森田 航太¹、岡部 博幸^2,3、中村 惇平³、桑原 英樹¹、門野 良典³、足立 匡¹ (1.上智大理工、2.東北大金研、3.KEK 物構研)

キーワード：

2枚層ニッケル酸化物、パルスレーザー堆積法、圧力誘起超伝導

高圧下でT_c ~ 80 Kの超伝導を示すLa₃Ni₂O₇の圧力と物性の関係を調べるため、Nd:YAGレーザーを用いたパルスレーザー堆積(PLD)法を用いて、La₃Ni₂O_7-δ薄膜をab面内格子定数がより小さいLaAlO₃基板上に作製した。その結果、先行研究のバルク試料よりも電気抵抗率が小さく、また半導体的な温度依存性が見られた。これは、基板からの圧縮歪みによって電気伝導性が向上し、バルクと同様に圧力印加によって半導体的な振る舞いを示した可能性がある。