講演情報
[14p-K207-20]ラマン分光法による半導体カーボンナノチューブの表面吸着物の検出
〇内山 晴貴1、吉川 雄大1、片浦 弘道2、大野 雄高1,3 (1.名大工、2.産総研、3.名大未来研)
キーワード：
カーボンナノチューブ、表面吸着物、ラマン分光法
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタ(TFT)は高い移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている．最近，TFT作製プロセスで生じるレジストの残渣により，低欠陥半導体CNTのG/D比が著しく低下することを報告した．本研究では，YOCD法によりレジスト残渣の除去を試み，CNTのラマンスペクトルへの表面吸着物の影響を明らかにした．