[14p-K210-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[14p-K210-2] Si(001)基板上に作製したエピタキシャルMg₃Sb₂薄膜の赤外受光特性

〇切通 望¹、鮎川 瞭仁¹、根城 虹希¹、栗山 武琉¹、山本 若葉²、安原 聡²、佐藤 康平²、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨城大、2.日本電子)

キーワード：

薄膜

Mg₃Sb₂薄膜の赤外受光性を調査するため、Si(001)基板上にMBE法で薄膜を成長させた。RHEEDやXRD、STEM解析により、c面配向のエピタキシャル成長が確認された。電流-電圧特性からp型Mg₃Sb₂とn型Si基板間にp-n接合が形成され、赤外LED光に対して明確な光応答を示した。1000-2200 nmの分光感度測定により、赤外受光デバイスへの応用可能性が示唆された。