[14p-K301-1~18] 17.3 層状物質

15:30 〜 15:45

[14p-K301-9] 環境の誘電率増加よるMoS₂内Nbドーパントのイオン化エネルギー制御

〇長汐 晃輔¹、川口 諒¹、魏 冕¹、金橋 魁利¹、西村 知紀¹ (1.東京大学)

キーワード：

２次元材料、MoS2、PL

本研究では，NbドープMoS₂の上下の絶縁膜を様々選択することにより環境の誘電率を変化させNbのイオン化エネルギーE_iを制御することを試みた．