[14p-K306-1~3] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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[14p-K306-1] シリコン結晶基板の品質と点欠陥 第二世代 (13) 点欠陥に対する内部応力効果

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶、点欠陥、応力

シリコン結晶に成長中に入る点欠陥濃度への内部応力の影響について1999年の検討を再開した。Siと大きさの異なる不純物の高濃度ドープについて、応力による濃度増加が約0.1％以上でgrown-in欠陥が増加する結果となった。熱応力について、緩和体積を用いた解析を新たなヤング率で再計算し、濃度増加が0.1％になる応力は17ＭＰaとなった。2014年に実験的に得られた推定値約10ＭＰaは予測を支持した。