セッション詳細
[14p-K306-1~3]15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥
2025年3月14日(金) 13:30 〜 14:15
K306 (講義棟)
[14p-K306-1]シリコン結晶基板の品質と点欠陥 第二世代 (13) 点欠陥に対する内部応力効果
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大放射線研究センター)
[14p-K306-2]シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/第二世代 (26)シャロ-サーマルドナーの赤外吸収
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
[14p-K306-3]シリコン結晶中の低濃度炭素の測定/第二世代(30)赤外吸収のinner phonon band対策、液体窒素温度測定
〇井上 直久1、奥田 修一1、川又 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)