講演情報
[14p-K309-13]ペロブスカイト半導体を用いた太陽光励起レーザの検討Ⅱ
〇久米 陽介1、阪口 大生1、石川 剛旭1、石 仕駿2、五月女 真人3、近藤 高志2,3、庄司 一郎1 (1.中央大理工、2.東大工、3.東大先端研)
キーワード：
ペロブスカイト、太陽光励起レーザ
ペロブスカイト半導体CH3NH3PbI3を用いた太陽光励起メンブレン型レーザの開発を目指している. 無反射コートしたサファイア基板上に真空蒸着で形成した厚さ500 nmのペロブスカイト薄膜同士を貼り合わせ，側面を封止した．その結果，波長532 nmで800 W/cm2の励起光強度では発光強度の低下は見られず，バンドギャップより長波長の788 nmでは約90 %の透過率が得られた.