[14p-K401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:45 〜 17:00

[14p-K401-11] 半極性GaInN活性層を有するナノコラムLEDの電流注入構造解析

〇赤塚 泰斗¹、石沢 峻介¹、掛村 康人¹、両角 浩一¹、宮澤 弘¹、赤坂 康一郎¹、富樫 理恵²、岸野 克巳² (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

キーワード：

ナノコラム、ナノワイヤ、GaInN

高輝度かつ低消費電力動作可能なディスプレイ光源として、マイクロLEDの開発が進んでいる。特にGaInN系ナノコラムは、ナノ構造に起因する転位屈曲効果や歪み緩和効果と周期配列構造に起因する光取り出し効果により高効率な赤色発光が期待できる。一方、直近の報告では電流注入効率について議論されているが、未だ改善の余地がある。本研究では、電流注入特性に着目し半極性GaInN活性層ナノコラムの結晶構造を評価した。