講演情報
[14p-K401-4]c面InGaN/GaN pin型発光・受光兼用ダイオードの光活性層厚の検討
〇安藤 勇歩1、市川 修平1,2、田畑 博史1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)
キーワード：
半導体、窒化物、光デバイス
近年、光無線システムに注目が集まっている。また、デバイスの小型化を目指し、多機能化や高密度化が望まれている。そこで、現状切り離されている光源と受光デバイスを単一化したpin型InGaN/GaN発光・受光兼用ダイオード(LERD)を考案し、1次元のシュレディンガー・ポアソン方程式に基づいて計算し、最適構造を検討した。その結果、光活性層厚が16 nmの時最適な構造となることが分かった。本結果はLERDの動作実現に向けて重要な設計指針を与えるものである。