講演情報
[14p-K402-1][第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制
〇原田 俊太1、坂根 仁2、三井 俊樹3、加藤 正史3 (1.名大、2.住重ATEX、3.名古屋工業大学)
キーワード：
炭化ケイ素 (SiC)、高エネルギーイオン注入、順方向通電劣化
炭化ケイ素（SiC）は優れた物理特性を持つパワー半導体材料として注目されているが、結晶欠陥に起因する順方向通電劣化が課題である。本講演では、高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制法（SF-KHII）の効果とメカニズムについて詳述する。