セッション詳細
[14p-K402-1~9]15.6 IV族系化合物(SiC)
2025年3月14日(金) 13:00 〜 15:45
K402 (講義棟)
児島 一聡(産総研)
[14p-K402-1][第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制
〇原田 俊太1、坂根 仁2、三井 俊樹3、加藤 正史3 (1.名大、2.住重ATEX、3.名古屋工業大学)
[14p-K402-4]µ-PCD法による4H-SiCウェハ欠陥周辺のライフタイムマッピングおよび減衰曲線の解析
〇若林 琢巳1、林 和志2、藤井 秀夫2、平野 貴之3、岡野 直樹3、先崎 純寿1 (1.産総研、2.神戸製鋼、3.コベルコ科研)
[14p-K402-5]電圧制御陽極酸化による蛍光4H-SiCポーラス加工条件の改善に関する研究
〇(M1)高橋 直暉1、水野 大誠1、秋吉 翔太1、坂 卓磨1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション、3.デンマーク工科大学)
[14p-K402-6]ITO透明導電膜によるSiC/SiO2界面単一光子源の発光強度制御
〇(M2)武藤 隆太1,2、針井 一哉2、清水 麻希1、木菱 完太3、矢崎 結也3、相川 慎也3、大島 武2,4、土方 泰斗1 (1.埼玉大理工研、2.QST、3.工学院大工、4.東北大院工)
[14p-K402-7]P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
〇伊藤 貴洋1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[14p-K402-8]Al濃度2.5×1019 cm-3のp型4H-SiC CVDエピ膜での電気的特性と結晶性のオフ角依存性
〇日高 淳輝1、成田 智哉1、岩槻 光栄1、梅内 滉武1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電通大、2.産総研)
[14p-K402-9]Alドープ4H-SiC中の最近接ホッピング(NNH)の伝導キャリア~新しいNNH伝導機構モデルの提案~
〇成田 智哉1、岩槻 光栄1、日髙 淳輝1、松浦 秀治1、紀世 陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産総研)