セッション詳細
[14p-K402-1~9]15.6 IV族系化合物(SiC)
2025年3月14日(金) 13:00 〜 15:45
K402 (講義棟)
[14p-K402-1][第46回優秀論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制
〇原田 俊太1、坂根 仁2、三井 俊樹3、加藤 正史3 (1.名大、2.住重ATEX、3.名古屋工業大学)
[14p-K402-2]4H-SiCにおける基底面転位の収縮に表面が与える影響解明のための転位動力学解析
〇平能 敦雄1、高橋 伸1、高橋 昭如1 (1.東京理科大)
[14p-K402-3]深い準位の評価を目的とした過渡容量解析におけるベイズ推定の適用
〇(B)山中 孝太郎1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大工)
[14p-K402-4]µ-PCD法による4H-SiCウェハ欠陥周辺のライフタイムマッピングおよび減衰曲線の解析
〇若林 琢巳1、林 和志2、藤井 秀夫2、平野 貴之3、岡野 直樹3、先崎 純寿1 (1.産総研、2.神戸製鋼、3.コベルコ科研)
[14p-K402-5]電圧制御陽極酸化による蛍光4H-SiCポーラス加工条件の改善に関する研究
〇(M1)高橋 直暉1、水野 大誠1、秋吉 翔太1、坂 卓磨1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション、3.デンマーク工科大学)
[14p-K402-6]ITO透明導電膜によるSiC/SiO2界面単一光子源の発光強度制御
〇(M2)武藤 隆太1,2、針井 一哉2、清水 麻希1、木菱 完太3、矢崎 結也3、相川 慎也3、大島 武2,4、土方 泰斗1 (1.埼玉大理工研、2.QST、3.工学院大工、4.東北大院工)
[14p-K402-7]P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
〇伊藤 貴洋1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[14p-K402-8]Al濃度2.5×1019 cm-3のp型4H-SiC CVDエピ膜での電気的特性と結晶性のオフ角依存性
〇日高 淳輝1、成田 智哉1、岩槻 光栄1、梅内 滉武1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電通大、2.産総研)
[14p-K402-9]Alドープ4H-SiC中の最近接ホッピング(NNH)の伝導キャリア~新しいNNH伝導機構モデルの提案~
〇成田 智哉1、岩槻 光栄1、日髙 淳輝1、松浦 秀治1、紀世 陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産総研)