講演情報
[14p-K402-2]4H-SiCにおける基底面転位の収縮に表面が与える影響解明のための転位動力学解析
〇平能 敦雄1、高橋 伸1、高橋 昭如1 (1.東京理科大)
キーワード：
転位
SiC中のBPD-TED変換現象メカニズムの1つである，表面付近での基底面部分転位対の挙動を明らかにした．本研究では，大きなスケールを扱うことができる転位動力学法と呼ばれる弾性論や転位論に基づく手法を用いた．解析の結果，表面付近では部分転位対が収縮し完全転位へとなりやすいことが分かった．さらに，成膜時のオフ角や部分転位対のバーガースベクトルの向きが部分転位対の収縮に影響を与えることを明らかにした．