講演情報
[14p-K402-5]電圧制御陽極酸化による蛍光4H-SiCポーラス加工条件の改善に関する研究
〇(M1)高橋 直暉1、水野 大誠1、秋吉 翔太1、坂 卓磨1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション、3.デンマーク工科大学)
キーワード：
半導体
B・NをSiCにドーピングした材料は蛍光SiCと呼ばれ、580 nmの波長で発光する。この結晶表面を陽極酸化法でエッチングし、ポーラス層を形成することで、460 nmの短波長発光を得ることができる。この二つの発光により、ブロードな白色光をえることができる。ポーラス層の形成は電荷量に依存するため、電流密度と酸化時間が重要な要素となる。本研究では、電圧制御を通じて電流密度と酸化時間の最適化を試みた。