講演情報
[14p-K402-6]ITO透明導電膜によるSiC/SiO2界面単一光子源の発光強度制御
〇(M2)武藤 隆太1,2、針井 一哉2、清水 麻希1、木菱 完太3、矢崎 結也3、相川 慎也3、大島 武2,4、土方 泰斗1 (1.埼玉大理工研、2.QST、3.工学院大工、4.東北大院工)
キーワード：
SiC、単一光子源、結晶欠陥
熱酸化SiC基板のSiC/SiO2界面に形成される結晶欠陥は、室温下で発光を電気的に制御可能な単一光子源（SPS）として知られている。しかし、これまで発光強度の電界強度依存性について系統的な調査はなされていない。そこで我々は、透明導電膜を用いて電圧印加することで、電極直下の表面SPSについて発光強度の電界強度依存性を体系的に調査した。その結果、測定したほぼすべての表面SPSは ±10 V以内の電圧でオン/オフ制御が可能であることが分かった。